碳化硅是第三代半导体材料，是制作耐高温、耐高压、耐高频、大功率器件的理想材料123。
碳化硅的禁带宽度大约是硅的3倍，理论工作温度可达到400度以上，临界击穿场强大约是硅的10倍，能够耐受更高的电压2。
碳化硅的击穿强度明显高于硅，这意味着它可以以更小的尺寸处理更高的电压，并支持更高的 MOSFET 阻断电压4。
碳化硅的导热率为 1490 W/mK，而硅的导热率为 150 W/mK，使其具有比硅更好的导热性和热稳定性3。